2017年度广东省科技发展专项资金项目（第三批）申报指南

　　支持强度：总额2000万/项，分期滚动支持。

　　四、第三代半导体材料与器件(专题十-专题十三)

　　本重大专项2017年按照第三代半导体材料与器件、LED可见光通信及标准光组件方向布署5个研究任务，专项实施周期为2-3年。

　　联系人：文晓芸，电话：020-83163877

　　专题十：大功率电力电子器件关键材料与技术攻关(专题编号：0112)

　　一、专题内容：

　　1、新型高速或高效GaN基电力电子关键技术攻关(6~8英寸外延、器件等;100V/7m ，1200V/100m ;在消费、通信、军工等领域示范);

　　2、新型大功率SiC基电力电子关键技术攻关(4~6英寸外延，SBD、MOSFET芯片等;外延厚度不均匀度<=2%，SBD 1200V/100A，MOSFET1200V/45m ;在电动车、充电桩、电网等领域示范);

　　3、新型大功率、高功率密度、高可靠电力电子模块(包括新型封装、散热、互连、基板等;功率>=1MVA，功率密度>=10KVA/cm3，结构热阻<=0.08oC/ W, 寿命>=15年;在电网、光伏、工控等领域示范应用)。

　　4、SiC、GaN及其他新型单晶衬底材料生长及制备技术、单晶研磨抛加工、同质外延产业化关键技术等(生长应力控制研究良好，形成年产能5000片，4英寸GaN单晶衬底位错密度小于5`105cm-2, 6英寸GaN单晶衬底位错密度小于5`106cm-2,其他新型模板单晶衬底位错密度为国内领先水平)。

　　二、申报要求：

　　1、本专题支持方式为无偿资助，强度为500万元/项;

　　2、主申报单位为省内注册的大专院校、科研院所(包括新型研发机构、协同创新组织)和具备研究能力的企业，鼓励产学研联合申报;

　　3、项目实施期为3年，项目产业化必须在广东省境内;提供项目查新报告;

　　4、项目市场需求明确，且以承接国家重点项目、引进我省亟需高层次人才为目的。

　　专题十一：面向领域重大应用工程SiC、GaN新型器件结构及机理研究(专题编号：0113)

　　一、专题内容：

　　项目围绕第三代半导体器件应用领域，特别是针对我省优势应用企业和产品，鼓励开展新型半导体器件结构及机理研究。项目要求密切跟踪世界高端技术，发挥第三代半导体技术特有优势和特点，以实现用户最大化，在相关应用领域和产品开展原理性创新、拓扑结构创新、专有功能或结合性功能创新,实现验证应用。重点支持领域：

　　1、超小型高效笔记本电脑适配器、消费类电子产品的供电模组;

　　2、下一代移动通讯、大数据中心、及通讯基站的供电模组;

　　3、用于电动车、充电桩、新能源、智能制造等大功率模组的功率器件、驱动或控制国产芯片;

　　4、家用和工业空调等电器的供电模组;

　　5、用于第三代半导体模组和系统集成的先进互联、高效导热材料、关键工艺、及可靠性设计。

　　二、申报要求：

　　1、本专题支持方式为无偿资助，强度为200万元/项;主申报单位为省内注册的大专院校、科研院所(包括新型研发机构、协同创新组织)和企业，特别是鼓励技术应用型或产品的制造企业，选择一款以上产品，针对其技术指标要求，与相关研究机构联合申报，提供现场装机测试支持;

　　2、项目实施期为2年;

　　3、提供项目查新报告;

　　4、选择领域应有市场规模分析，市场需求分析。

　　专题十二： LED可见光通信关键模块及器件研究(专题编号：0114)

　　一、专题内容：

　　1、可见光通信收发一体化照明级高速LED模块。通照两用，发射角不小于60度，传输距离不小于3m，调制带宽不低于2GHz，数据传输速率不小于1Gbit/s;

　　2、显示和通信两用微小尺寸LED阵列光通信器件开发。发光芯片单元尺寸不大于120×120μm，3dB带宽不小于200M，调制带宽不小于50M;